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                      多孔碳硅烷CVD沉積碳包覆一體真空爐


                      • 產(chǎn)品描述
                        • 商品名稱: 多孔碳硅烷CVD沉積碳包覆一體真空爐

                        應(yīng)用領(lǐng)域:

                        多孔碳材料CVD沉積   甲烷、乙炔CVD碳包覆

                        工藝特點:

                        本設(shè)備采用粉體霧化轉(zhuǎn)流化先進工藝使CVD沉積更充分;

                        特殊的多弧形坩堝避免藏料,全范圍無死角;

                        高速的霧化及一體爐雙重的工藝,使硅碳包覆更均勻就把硅烷利用率提高90%以上;

                        5層真空室使用硅烷氣體安全得到保證上。 

                        型 號

                        外型尺寸

                        裝載量

                        工作溫度

                        極限溫度

                        真空度

                        總功率

                        氣氛類別

                        設(shè)備重量

                        MGB140-120-200HL2

                        6000*5000*5000

                        200KG

                        400℃~800℃

                        1000℃

                        1-2.5Pa

                        230KW

                        SiH4/CH4

                        10T

                      關(guān)鍵詞:

                      產(chǎn)品咨詢

                      %{tishi_zhanwei}%